一、设备描述
        快速退火炉又名RTP设备，此设备为型号AS-One系列，分为可以处理4"基片的AS-ONE100以及处理6"基片的AS-ONE150，更小的基片可使用基片托。主要用于大学，研究实验室以及年产量高达10000晶圆的小规模生产。
       尺寸：AS-0NE100/AS-ONE150：530*800*1425mm          
        标配热电偶与高温计测量温度。在温度范围内，通过快速数字PID温度控制器，可获知精确的，可重复的热控制。
       类似蛤蜊壳的外形设计，翻盖操作，便于取放基片，以及腔室的清洗。   

二、型号介绍

      不锈钢水冷壁腔室壁真空快速退火炉(快速热处理炉)

      具有4英寸(100 mm) 和 6英寸 (150 mm) 两种版本

 

三、性能和特征

• 可处理4-inch 及以下和 6-inch 及以下的晶圆
• 可适用大范围类型的基片：硅和化合物半导体晶圆，GaN /蓝宝石和碳化硅晶圆，多晶硅晶圆，玻璃，金属，高分子聚合物，石墨和碳化硅托盘等等。
• 设备应用具有：硒化、硫化、接触退火，注入退火，RTO (快速热氧化) ，RTN (快速热氮化) ，硅平滑，扩散，致密化和结晶化，石墨烯CVD，碳纳米管等。
• 不锈钢水冷腔壁技术，高工艺复现性，超洁净及无污染环境
• 高冷却速率，低记忆效应
• 具有真空能力，可选配分子泵
• 温度控制：高温计和热电偶控制+快速数字PID温度控制器
• 边缘高温计视口，确保用于化合物半导体和小型样品
• 基片托的温度控制

四、快速退火炉的具体参数

• 温度范围: 室温至1250°C（AS-One100）、室温至1450°C（AS-One100HT）、室温至1200°C（AS-One150）、室温至1300°C（AS-One150HT）、
• 升温速率：可达200°C/s（AS-One100），可达150°C/s（AS-One150）
• 特殊配置下冷却速率达 100°C/s（选配快速冷却装置）
• 可配5条带质量流量控制器（MFC）的工艺气路
• 标配一条吹扫气路
• 具有真空能力，配备干泵，可选配分子泵 

指标特点	AS-One 100	AS-One 150
腔室材质	不锈钢水冷壁腔室	不锈钢水冷壁腔室
*大衬底直径	100mm（4”）	150mm（6”）
温度范围（标准） 温度范围（高温版本）	RT to 1250°C RT to 1450°C	RT to 1200°C RT to 1300°C
温度重复性	± 1°C	± 1°C
升温速率	0.1°C to 200°C/s	0.1°C to 150°C/s
灯数量/*大功率	12 / 30 kW	18 / 34 kW
温度控制	快速数字PID	快速数字PID
工艺气体管路	5	5
真空范围Roughing 真空范围Turbo	10-3 Torr 10-6 Torr	10-3 Torr 10-6 Torr
应用	注入退火、欧姆接触退火(III-V and SiC)、Si碳化、RTO、RTN、致密和结晶、硒化、石墨烯CVD……
装片方式	手动	手动