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品牌：德国FEMTO
型号：HSA-X-S-2G-IN
通过将*先进的光电二极管与久经考验的杰出FEMTO GHz放大器技术相结合，我们设计了性能卓越的新型光电接收器系列。HSPR-X和HSA-XS提供2 GHz的带宽上限。两种带有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管的型号分别覆盖320至1000 nm和900至1700 nm的光谱范围。由于采用了先进的放大器设计，在5 x 10 3 V / A的跨阻情况下，*小NEP仅为11 pW /√Hz 。这样就可以以GHz速度测量µW范围内的光功率水平。
| 模型 | HSA-XS-1G4-SI |
HSPR-XI-1G4-SI 倒置 |
HSA-XS-2G-IN |
HSPR-XI-2G-IN 倒置 |
| 光电二极管 | Ø0.4毫米Si-PIN | Ø0.4毫米Si-PIN | Ø0.1 mm InGaAs引脚 | Ø0.1 mm InGaAs引脚 |
| 光谱范围 | 320 ... 1000纳米 | 320 ... 1000纳米 | 900 ... 1700纳米 | 900 ... 1700纳米 |
| 带宽（−3 dB） | 10 kHz至1.4 GHz | 10 kHz至1.4 GHz | 10 kHz至2 GHz | 10 kHz至2 GHz |
|
上升/下降时间 （10％-90％） |
250 ps | 250 ps | 180 ps | 180 ps |
| 跨阻增益 | 5 x 10 3 V / A |
5 x 10 3 V / A 倒置 |
5 x 10 3 V / A |
5 x 10 3 V / A 倒置 |
| 转换收益 |
2.55 x 10 3 V / W （@ 760纳米） |
2.55 x 10 3 V / W （@ 760纳米） |
4.75 x 10 3 V / W （@ 1550纳米） |
4.75 x 10 3 V / W （@ 1550纳米） |
| NEP（@ 100 MHz） |
32 pW /√Hz的 （@ 760纳米） |
19 pW /√Hz的 （@ 760纳米） |
16 pW /√Hz的 （@ 1550纳米） |
11 pW /√Hz的 （@ 1550纳米） |
| 输出电压驻波比 | 2.5：1 | 1.4：1 | 2.5：1 | 1.4：1 |
| *大输出电压@ 50Ω | 1.9 V PP | 2.0 V PP | 1.9 V PP | 2.0 V PP |
| 输出噪音 | 3.6 mV均方根 | 2.5 mV RMS | 3.6 mV均方根 | 2.5 mV RMS |
| 可用的输入选项 | 可用空间（FS）或FC | 可用空间（FS）或FC | 可用空间（FS）或FC | 可用空间（FS）或FC |
| 品牌： | 德国FEMTO |
| 型号： | HSA-X-S-2G-IN |
| 加工定制： | 否 |
| 外形尺寸： | 1 mm |
| 重量： | 0.25 ㎏ |
| 用途： | 光谱学 |
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