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进口BEHLKE DSM系列 差动开关模式脉冲发生器 用于系统集成
999.00
北京朝阳区
北京汉达森机械技术有限公司
7年 | 指数:160 | 工商已认证
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进口BEHLKE DSM系列 差动开关模式脉冲发生器 用于系统集成


Behlke A组产品 - 用于放电的快速晶闸管开关

1)HTS 120-100-SCR, 快速晶闸管高压开关,di / dt> 2kA /μs。采用具有选件
FC(扁平外壳)的高性价比塑料外壳。12 kVDC,1kA pk,tr <100 ... 500 ns。尺
寸79x38x17毫米。

2)HTS 80-500-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 10kA /μs。采用具有标准高
电流端子的高性价比塑料外壳。8 kVDC,5 kA pk,tr <100 ... 500 ns。89x64x32
毫米。

3)    HTS 80-500-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 10kA /μs。带可选冷却
法兰,无电位(选件GCF)。8 kVDC,5 kA pk,tr <100 ... 500 ns。尺寸
132x100x40 mm。

4)HTS 120-500-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 10kA /μs。显示在具有成
本效益的塑料外壳中。标准大电流端子。12 kVDC,5kA pk,tr <100 ... 500 ns。
122x64x31毫米。

5)HTS 120-500-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 10kA /μs。带可选铜散热
片(选件CF)。标准大电流端子。12 kVDC,5kA pk,tr <100 ... 500 ns。
122x64x66毫米。

6)    HTS 240-1200-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 24kA /μs。带可选陶
瓷冷却表面(选件CCS)。24 kVDC,12 kA pk,tr <100 ... 500 ns 

7)HTS 240-1200-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 24kA /μs。带可选的Cu散
热片(双翅片,选件CF-D)。24 kVDC,12 kA pk,tr <100 ... 500 ns 

8)HTS 240-800-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 16kA /μs。带有可选的Cu
散热片(选件CF-1)。24.000 VDC,8 kA pk,tr <100 ... 500 ns 

9)HTS 240-300-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 6kA /μs。带有可选的Cu散
热片,扩大(选件CF-X3)和塑料法兰外壳(选件FH)。24 kVDC,3 kA pk,tr
<100 ... 500 ns 

10)HTS 440-1200-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 24kA /μs。带有可选的
Cu散热片(选件CF)和塑料法兰外壳(选件FH)。44 kVDC,12 kA pk,tr <100
... 500 ns 

11) HTS 500-1200-SCR,快速晶闸管高压开关,di / dt> 24kA /μs。可选水冷(
选件ILC)。50 kVDC,12 kA pk,tr <100 ... 500 ns 
12)HTS 1500-1000-SCR, 快速晶闸管高压开关,di / dt> 20kA /μs。可选液体
冷却,用于非导电冷却剂(选件DLC)。150 kVDC,10 kA pk,tr <150 ... 500 ns


13)HTS 1200-2400-SCR, 快速晶闸管高压开关,di / dt> 40kA /μs。可选液体
冷却。非对称隔离(加上极点200 kV /负极30 kV)。120 kVDC,24 kA pk,tr
<200 ... 600 ns。


Behlke 产品组B1 - 具有固定导通时间的MOSFET开关,用于一般用途

1)HTS 40-06,标准塑料外壳中的极快MOSFET开关。固定导通时间,ton = 100ns(
50 ns - 100μs可选)4 kV,60 A pk,上升时间<3 ns。

2)HTS 150,MOSFET开关。固定导通时间,ton = 150ns(100 ns - 100μs可选)
。采用高频尾纤(PT-HV)和高隔离电压(ISO-40)。15 kV,30 A,tr <10ns。

3)HTS 300,MOSFET开关。固定导通时间,ton = 200ns(100 ns - 100μs可选)
。标准塑料外壳。30 kV,30 A,上升时间<10ns。



Behlke 产品组B2 - MOSFET,固定导通时间,高di / dt和低阻抗
1)HTS 60-16,快速放电开关,具有低杂散电感。固定准时,吨= 150ns。6 kV,
160 A,tr <4ns @Ip(*大值)。PCB的插针插座包含在供货范围内。

2)HTS 80-16,快速放电开关,具有低杂散电感。固定准时,吨= 150ns。8 kV,
160 A,tr <5ns @Ip(*大值)。PCB的插针插座包含在供货范围内。

3)HTS 80-26,快速放电开关,具有低杂散电感。固定导通时间,吨= 180ns。8 kV
,260 A,tr <5ns @Ip(*大值)。PCB的插针插座包含在供货范围内。  
  


Behlke 产品组B3 - MOSFET,固定导通时间,高di / dt和超快速

1)HTS 50-12-UF,低电感的超快放电开关。固定导通时间,ton = 200ns(可选
10ns-1μs)。5kV,120A,tr <2ns @Ip(*大值)。PCB的插针插座包含在供货范
围内。

2)HTS 80-12-UF,低电感超快放电开关。固定导通时间,ton = 200ns(可选
10ns-1μs)。8kV,120A,tr <3ns @Ip(*大值)。PCB的插针插座包含在供货范
围内。

3)HTS 80-20-UF,低电感超快放电开关。固定导通时间,ton = 200ns(可选
20ns-1μs)。8kV,200A,tr <4ns @Ip(*大值)。PCB的插针插座包含在供货范
围内。



Behlke 产品组B4-沟槽FET,固定导通时间,高电流,低导通电阻
1)HTS 60-65-B,*新的Trench FET技术,具有极低的导通电阻和高电流。固定准
时,吨= 150ns。6.5 kV,650 A pk。上升时间<10 ns @Ip(*大值)

2)HTS 170-160-B,*新的Trench FET技术,具有极低的导通电阻和高电流。固定
导通时间,吨= 200ns。17 kV,1600 A pk。上升时间<15 ns @Ip(*大值)。独立
控制单元。

3) HTS 330-160-B,*新的Trench FET技术,具有极低的导通电阻和高电流。固定
准时,吨= 250ns。33 kV,1600 A pk。上升时间<18 ns @Ip(*大值)。独立控制
单元。  
  


Behlke 产品组C1 - MOSFET开关,可变导通时间,用于一般用途 

1)HTS 181-01-C,MOSFET开关,紧凑型系列。可变导通时间从50 ns到无限。18 kV
,12 A,上升时间<15 ns。尺寸79 x 38 x 25 mm。选择。推荐使用PT-HV(HV尾纤
)。

2)HTS 151-0 2,MOSFET开关,带选件FC(扁平外壳),带标准连接器。可变导通
时间从50 ns到无限。15 kVDC,25 A pk,上升时间<8 ns.On-resistance <30 Ohm


3) HTS 331-06,通用MOSFET开关,带选件CF(散热片),C-DR(驱动器冷却)和
HFS(高频开关)。33 kVDC,60 A.导通电阻<33欧姆。  



Behlke 产品组C2 - 具有可变导通时间和高di / dt的MOSFET开关
1)HTS 61-40,具有高di / dt的MOSFET开关。可变导通时间从300 ns到无限。6
kVDC,400 A pk。上升时间<10 ns @Ip(*大值)

2)HTS 101-20,MOSFET开关具有高di / dt。可变导通时间从300 ns到无限。10
kVDC,200 A pk。上升时间<12 ns @Ip(*大值)

3)HTS 311-130-B,沟道FET技术中具有高di / dt的MOSFET开关。可变导通时间300
ns - ∞。31 kVDC,1300 A pk。上升时间<20 ns @Ip(*大值)。独立控制单元。
 


Behlke 产品组C3 - MOSFET,可变导通时间,低耦合电容

1)HTS 901-10-LC2,低电容MOSFET开关,采用高压瞬态LC2技术。该开关旨在满足
非常苛刻的工业要求。隔离电压> 150 kV      (可选高达300 kV)。内置控制单
元(可更换)。90 kVDC,100 A.导通电阻<40欧姆。开启上升时间<50 ns。  

2)HTS 901-10-LC2,如上所述,但带有选件SEP-C(独立控制单元)和选件DLC(直
接液体冷却)。  

3)HTS 1001-20-LC2,高功率MOSFET开关,带选件TH(管状外壳)和选件DLC(直接
液体冷却)。100 kVDC,200 A pk。,上升时间<50 ns,*大值 功耗30千瓦     




Behlke 产品组C4 - 沟槽FET,可变导通时间,高电流,低电阻

1)HTS 71-13-BC,紧凑型系列。*新的TRENCH FET技术,具有低导通电阻。7.8
kVDC,130 A pk,<1 Ohm,tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2)HTS 61-23-B,*新的沟槽FET,具有低导通电阻和高峰值电流。带可选铜散热片
(选件CF)。6.5 kVDC,230 A pk,Ron <0.4 Ohm,tr <15ns  

3)HTS 231-52-B,*新的Trench FET技术,具有低导通电阻和高峰值电流。23 kV
,520 A,<0.7 Ohm,tr <20 ns。使用选件CF-X2(散热片X2)和C-DR(驱动器散热
)   
  



Behlke 产品组C5 - MOSFET,可变导通时间,双极性,用于交流和直流电压

1 )HTS 61-01-AC-C,用于交流,直流和双极直流电压的MOSFET开关。紧凑型系列
。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC(pk)/ 15 A(pk)。  

2)HTS 131-26-AC-B,用于交流,直流和双极直流电压的沟槽FET开关。带可选铜散
热片(选件CF)和屏蔽输入(选件LS-C)。13 kVAC(pk)/ 260 A(pk)。  

3)HTS 231-26-AC-B,沟槽FET开关,用于交流,直流和双极直流电压。带可选铜散
热片(选件CF)和屏蔽输入(选件LS-C)。23 kVAC(pk)/ 260 A(pk)。

4)  各种MOSFET交流开关,30至70 kV / 100 A,带管状外壳(选件TH)和直接液
冷(选件DLC)。    




Behlke 产品组C6 - 具有可变导通时间,高电流的IGBT开关

1)HTS 61-160-FI,快速IGBT开关。可变导通时间200ns至无限。带有用于控制连接
的尾纤(选件PT-C)。6 kV,1600 A.导通上升时间<90 ns @Ip(*大值)。关断上
升时间<0.8μs。 

2)HTS 101-120-SI,标准IGBT开关。可变导通时间1μs至无限。10 kV,1200 A pk
。开启上升时间<150 ns @ Ip(*大值)。关断上升时间<5μs 。

3)HTS 241-240-SI,标准IGBT开关。可变导通时间200 ns至无限。带有可选的散热
片(选件CF)和法兰外壳(选件FH)。24 kV,2400 A pk。上升时间<150 ns @ Ip
(*大值)。 
  



Behlke 产品组C7-MCT开关具有可变导通时间,高电流

1)HTS 61-300-MCT,可变导通时间的晶闸管开关。6 kVDC,导通电流3 kA,关断电
流100 A.导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5μs。

2)HTS 101-300-MCT,可变导通时间的晶闸管开关。10 kVDC,导通电流3 kA,关断
电流100 A.导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5μs。

3)HTS 181-300-MCT,可变导通时间的晶闸管开关。18 kVDC,导通电流3 kA,关断
电流100 A.导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5μs。  
 



Behlke 产品组C8 - 推挽式配置的MOSFET开关(半桥)

1)HTS 61-01-HB-C,MOSFET推挽式开关。紧凑型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。可
变HV脉冲宽度从50 ns到无穷大。2 x 6 kV,15 A.上升和下降时间<8ns。  

2)  HTS 81-06-GSM,MOSFET推挽式开关采用经济高效的塑料外壳。底部的HV接头
。可变HV脉冲宽度从150 ns到无穷大。2 x 8 kV,60 A.上升和下降时间<7ns。

3)HTS 201-03-GSM,MOSFET推挽式开关,带有可选的散热片(CF)和阻燃外壳,符
合UL94-V0(选件UL94)。 2 x 20 kV,30 A pk,上升和下降时间<10 ns 

4)HTS 301-03-GSM ,MOSFET推挽式开关,带选件FH(法兰外壳),DLC(直接液冷
),C-DR(驱动器冷却)和HFS(高频开关)。2 x 30 kV,30 A 
     上升和下降时间<20 ns,重复率> 100 kHz。采用DLC冷却,*大功耗可达6 kW
。尺寸330x120x75 mm。

5)HTS 1501-10-GSM, MOSFET推挽式开关,带选件FH(法兰外壳)和DLC(直接液
冷)。2 x 150 kV,100 A.上升和下降时间<90 ns。

6)HTS 61-03-HB-C, MOSFET推挽式开关。紧凑型系列,带选件GCF(接地冷却法兰
)。可变脉冲宽度从75 ns到无穷大。2 x 6 kV,30 A.上升和下降时间<6 ns。  



Behlke 产品组D - HV脉冲发生器和普克尔盒驱动器

1)  GHTS 60/100,用于容性负载的实验室方波脉冲发生器。通过CE认证。高达10
kV。上升和下降时间10 ns,f(max)= 30 kHz。手动极性反转。高压脉冲监视器输
出。  

2)  FBP 201-01,快速高压双极和AC脉冲发生器。脉冲发生器接受正负电源电压而
无极性反转。适用于TOF应用。20 kVAC / 15 A,可根据要求提供其他电压和电流。
可选液体冷却(ILC或DLC),用于高频操作。通过CE认证。高压脉冲监视器输出。  
     
3)  FSWP 61-02,MOSFET推挽式脉冲发生器,采用DLC液冷,适用于高频运行。带
脉冲监控输出。6 kVDC,20A,tr / tf <8ns,fmax = 3MHz  

4)  HTS XXX-XXX带选件PC。每个BEHLKE HTS开关都可以根据客户要求配置为脉冲
发生器。有关详细信息,请咨询BEHLKE。

5)  FQD 50-02-C,MOSFET pockels电池驱动器,紧凑型系列。LxWxB = 64x30x18
mm(2.5x1.18x 0.7inch)。开模式配置,5 kV,20 A pk,上升时间<5 ns 

6)  FQD 40-06,MOSFET pockels单元驱动器,带可选冷却法兰(GCF),重复频率
高达150 kHz。开模式,4 kV,60 A pk,上升时间<5ns  



Behlke 产品组E-快速回收高压二极管,系列FDA

1)FDA 160-150。快速恢复二极管16 kV / 1500 A.反向恢复<85 ns @ 150A。标准
房屋。图为上下两侧。  

2)FDA 160-150。快速恢复二极管16 kV / 1500 A.反向恢复<85 ns @ 150A。上:
带散热片(CF)。底部:采用Cu冷却法兰(GCF)。

3)FDA 160-300。快速恢复二极管16 kV / 3000 A.反向恢复<85 ns @ 300A。外壳
带有可选的铜散热片(选件CF)。

4)FDA 350-150。快速恢复二极管35 kV / 1500 A.反向恢复<85 ns @ 150A。标准
房屋带有定制的高压连接器。 

5)FDA 320-150。快速恢复二极管32 kV / 1500 A. 反向恢复<85 ns @ 150A。可选
配散热片(CF),*大 400W功耗。

6)FDA 160-800。快速恢复二极管16 kV / 8000 A. 反向恢复<85 ns @ 800A。法兰
外壳(FH)带散热片(CF)和尾纤(PT-HV)。



Behlke 定制HV开关和HV脉冲发生器的示例

1)     定制的高压脉冲发生器单元,具有远程控制的极性变化。工业TOF应用。
+/- 10 kV,30 A(pk),上升和下降时间<10 ns 

2)     定制的带水冷的晶闸管开关。具有55 kVDC隔离要求的医疗应用。24 kVDC
,12 kA pk,电流上升时间<500 ns。  

3)     定制的晶闸管开关用于土钻孔中的地震勘探。130 x 20 x 20毫米。6 kVDC
,1kA pk,电流上升时间<500 ns。 
 
4/5)定制交流开关,适用于高频大功率应用。专为直接液体冷却(DLC)而设计。
塑料外壳(PEEK),压力和辐射率,根据客户要求。图。5:AC开关,由35x4 FET制
成,每个800V / 60A = 28kVAC / 120A,Ron <2.5欧姆,上升时间<15ns.Fig。5:
AC开关,由35x4 FET制成,每个800V / 60A = 28 kVAC / 120A,Ron <2.5 Ohm,上
升时间<15 ns。

6)    定制MOSFET推挽式开关,采用自来水冷却,设计紧凑。5 kVDC,25 A pk,
fmax 300 kHz,上升和下降时间<8ns 

7)     定制的pockels电池驱动器。全桥配置的2个推挽式开关,可产生7ns至无限
的HV脉冲宽度。8kV,30 A pk,> 500 kHz   

8)    用于工业激光器的定制pockels单元驱动器。铜制冷却法兰,带自来水冷却
。UL94-V0推挽式开关,5 kV,上升和下降时间<10ns,fmax = 300kHz。

9)     定制的晶闸管开关在一个特殊的外壳中,可直接替换现有系统中的火花隙
。用水冷却。24 kV,8 kA(pk)。


进口BEHLKE DSM系列 差动开关模式脉冲发生器 用于系统集成
品牌:Behlke
加工定制:
型号:HTS 40-1000-SCR
类型:扩散硅
测量范围:150 kPa
测量介质:160
精度等级:170
输出信号:180 mA
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