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HBM汽车衡 大地磅 不锈钢柱式传感器1-C16AC3/40T-1
3500.00
上海奉贤区
东置(上海)自动化技术有限公司
6年 | 指数:130 | 工商已认证
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德国HBM传感器C16AD1/40T引起了众多客户的关注,推荐的德国HBM传感器C16AD1/40T精度高,稳定性的特点,使响应速度更为流畅,欢迎咨询享受*报价及选型服务。保证原装进口,价格实在。我们主要销售进口品牌称重传感器、美国Transcell称重传感器、美国Celtron称重传感器、美国Tedea-huntleigh称重传感器、瑞士Mettler Toledo梅特勒-托利多称重传感器、德国HBM称重传感器等。

 

德国HBM数字式称重传感器所有的系列

(1)HBM数字式传感器C16iC3/20T

(2)HBM数字式传感器C16iC3/30T

(3)HBM数字式传感器C16iC3/40T

(4)HBM数字式传感器C16iC3/60T   

 (5)HBM数字式传感器RTNi1C3/33T

(6)HBM数字式传感器RTNi1C3/47T

(7)HBM数字式传感器RTNi1C3/68T

 

德国HBM传感器C16AD1/400T技术的发展趋势

hbm称重传感器可用于各种应用,并具有高精度。能实现这种高精度是相当有技术的,而这种技术非常依赖于制造经验。HBM回顾了超过65年的称重传感器开发经验,并不断致力于满足未来需求的新解决方案。在测试过程中确定应变计技术远未被充分利用,并且仍有无数可能性来决定性地改进这传感器,以及我们客户的产品。因此称重传感器的技术发展会更精确,坚固,快速,智能。

 

德国HBM传感器C16AD1/400T的安装底座

称重传感器的底座应有足够的强度和刚性,起码要比传感器的强度要大。底座安装面应平整、清洁、无任何污迹等。

 

德国HBM传感器C16AD1/400T的负载限制

在称重传感器中,晶体位于直接力流中。测量元件设计用于每个传感器的*力。施加弯曲力矩可导致换能器的过载作为晶体更强烈地装载在一侧上,相反,负载被减轻在另一侧。*机械应力是通过增加由晶体中的弯矩和待测轴力的载荷应力引起的应力来计算的。在任何情况下都不得超过允许的*表面压力。由于输出信号不依赖于压电传感器中传感器的标称(额定)力,因此可以选择具有较高标称力的传感器,以避免在这种情况下过载。下图显示了允许的*弯矩,具体取决于过程力。具有50%负载应力的强力垫圈可以接受*的允许弯矩。如果通过来自侧面的力产生弯矩,则还产生横向力,从而减小*值。由弯矩引起的测量误差很小,因为晶体一侧的较高材料应力通过另一侧的较低应力得到补偿。如果压电力垫圈(1-CFW / 50kN)的弯矩为100 Nm,则产生-2.3N的输出信号。请注意根据数据表的*横向力。

 

优化德国HBM传感器C16AD1/400T的力测量环境

温度对HBM称重传感器的影响:温度对传感器灵敏度的影响非常低,为0.2%/ 10K,对于大多数应用来说可忽略不计。温度变化会导致热应力。另外,预应力元件的E模量取决于温度。重要的是输出信号仅在温度改变的情况下改变。在静止状态下,不产生电荷,并且温度变化对测量没有影响。为确保温度效应可以*小化,应在适合的温度下存放足够的时间。在测量之前不会触摸换能器,因为手热会不均匀地加热传感器,在每个测量周期之前执行复位。漂移和温度变化的影响非常小,特别是在测量时间达到微小范围和较大的力时,也不会造成数据不精准的问题。

HBM称重传感器连接的清洁度

(1)如果传感器和电荷放大器之间的电缆的绝缘电阻太低,则测量链将漂移,因为电荷将通过太低的绝缘电阻放电。为了保持压电测量链漂移低,所有插头和插座必须始终保持清洁。请确保不要用手接触开放的接触表面,因为这会降低所需的绝缘电阻。我们还建议在传感器和电荷放大器的插座上留下保护帽(交付范围),直到连接传感器或电荷放大器。断开连接时,应再次拧紧保护帽。压电传感器必须与带有高质量同轴电缆的电荷放大器连接,HBM为此提供1-KAB143 / 3电缆。这种电缆无法修复,如果损坏则必须更换。如果测量链始终使用连接电缆进行操作,并且传感器始终存放保护盖,则通常不会出现污染的接触表面。

 

(2)HBM称重传感器清洁受污染的插座

如果插座受到污染,可以按如下方式清洁:首先,拧下插座,用清洁垫擦干插座的白色表面,用纯异丙醇喷涂插座,用新的清洁垫再次清洁。电缆插头无法清洁,即如果电缆被污染,则必须更换。

 

上海东置自动化以市场需求为基础,以德国HBM传感器C16AD1/400T质量为重心,公司凭借综合实力已跃身行业的前列,顾客的满意是我司永恒的追求,我们全力持续改善,以满足客户对品质、成本、交期及服务等各项需求

品牌:HBM
加工定制:
型号:1-C16AC3/40T-1
制作工艺:集成
输出信号:模拟型
材料:金属
材料物理性质:半导体
材料晶体结构:单晶
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