按离型力需求选择

• 低离型力 (10-15g/in)：
  • 适用：超薄芯片 (≤50μm)、脆弱材料、精细线路
  • 优势：减少 90% 以上脱模阻力，防止芯片因应力集中而碎裂
• 标准离型力 (15-25g/in)：
  • 适用：常规 QFN、BGA、SOP 等封装，广泛用于消费电子和通信芯片
  • 优势：平衡离型效果和操作便利性，适合大批量生产
• 高离型力 (25-30g/in)：
  • 适用：高粘度环氧树脂、厚层封装 (≥1mm)、需要保持形状的特殊结构
  • 优势：防止封装过程中移位，确保复杂结构成型完整性

• 表面能极低 (18-22 达因 /cm)，与树脂等粘性物质接触后可轻松剥离
• 离型力精确控制在 10-30g/in 范围，波动误差 <±3g/in，确保脱模均匀受力
• 耐高温：持续使用温度 150-180℃，瞬时耐温可达 200℃，适配芯片封装高温工艺
• 化学稳定性优异，不与封装材料发生反应，保障芯片安全

二、材料结构与工作原理

1. 主流材料体系

• 基材：ETFE 高分子材料，兼具氟材料稳定性和热塑性加工性
• 表面处理：等离子体处理 + 超薄硅氧烷 / 氟系离型涂层，形成 "双保险" 离型结构
• 厚度：常见 25-100μm，特殊应用可低至 12μm 或高至 300μm

• PTFE (聚四氟乙烯)：耐温更高 (260℃)，但成本高、加工性差
• ECTFE (乙烯 - 氯三氟乙烯共聚物)：优异的耐化学性和机械强度，适合特殊封装需求
• 复合型：基材 + 导电层 + 离型层，兼具防静电和离型功能，防止芯片静电损伤