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同兴真空镀膜30KV3A整流硅堆HVD-3030高压二极管半桥HV3030
￥200.00
辽宁鞍山
鞍山市同兴电子制造有限公司
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同兴真空镀膜30KV3A整流硅堆HVD-3030高压二极管半桥HV3030
高压二极管丨高压硅堆丨高压整流半桥价格优惠
2X2CL30KV高压整流半桥硅堆型号2X2CL30KV/0.1A丨2X2CL30KV/0.2A丨2X2CL30KV/0.3A丨
2X2CL30KV/0.5A丨2X2CL30KV/1A丨2X2CL30KV/1.5A丨2X2CL30KV/2A丨2X2CL30KV/3A丨
2X2CL30KV/5A丨2X2CL30KV/6A丨2X2CL30KV/10A丨高压整流半桥硅堆
3A压整流半桥硅堆2X2CL5KV/3A丨2X2CL6KV/3A丨2X2CL8KV/3A丨2X2CL10KV/3A丨
2X2CL12KV/3A丨2X2CL15KV/3A丨2X2CL20KV/3A丨2X2CL25KV/3A丨2X2CL30KV/3A丨
2X2CL35KV/3A丨2X2CL40KV/3A丨2X2CL45KV/3A丨2X2CL50KV/3A丨2X2CL60KV/3A丨
2X2CL70KV/3A丨2X2CL80KV/3A丨2X2CL90KV/3A丨2X2CL100KV/3A丨2X2CL120KV/3A丨 
2X2CL150KV/3A丨 2X2CL180KV/3A丨 2X2CL200KV/3A丨 高压整流半桥硅堆
      2X2CL30KV/3A高压整流半桥硅堆参数
高压硅堆品牌：同兴
高压硅堆型号：HVD3030丨2X2CL30KV/3A
反向耐压：30KV*2
正向整流：3A
抗浪涌电流：200A
内部材料：进口硅(Si)芯片
内部结构：台面型
连接方式：螺丝*3
频率特性：低频/工频
保护特性：雪崩保护特性
原厂原装：是
封装形式：环氧树脂真空封装
工作温度：-55~175℃（155℃为连续工作上限温度）
外形尺寸：260*35*25mm 及其他尺寸
常规领域：真空镀膜设备电源丨高周波丨高频机
高压整流半桥硅堆厂家：鞍山市同兴电子制造有限公司
产品特点：
先进的生产工艺
正向浪涌承受能力强，承受瞬间高冲击
反向雪崩保护特性，避免损坏
反向耐压高，使用寿命长
反向漏电流低，低发热运行
高温焊接保证，内部连接牢固
内部芯片加强保护，长时间稳定工作
优异的机械性能绝缘性能
及耐腐蚀耐潮湿能力
适应恶劣工作环境
工作温度：-55~175℃
储藏温度：-55~175℃
<同兴>鞍山高压硅堆/高压二极管/高压整流桥常规产品系列：
高压二极管CL3KV~20KV/200mA~10A
高压二极管硅堆HVP- 6KV~20KV/0.5A~2A
高压硅堆2CL 1KV~500KV/50mA~200A
高压硅堆2DL 1KV~500KV/50mA~200A
高频高压硅堆2CLG丨2DLG3KV~400KV/0.02A~180A
高压整流半桥HV丨HQL丨2X2CL丨HQGL5KV~400KV/20mA~150A
高压整流全桥QL丨QGL4KV~300KV/100mA~60A
三相高压整流桥3QL3KV~200KV/100mA~90A
高频三相高压整流桥3QGL3KV~180KV/100mA~80A
高压硅堆丨高压二极管丨高压整流桥常用领域
真空镀膜丨静电除尘脱硫丨高压试验设备丨高压测试设备丨高压点火丨
直流高压发生器丨工业微波丨X光医疗设备丨激光设备丨雷达发射丨高速分析仪丨
充放电设备丨高周波丨高频机(高频感应加热，高频淬火)丨大学实验室丨
军/工科研单位丨航空航天研发丨油田脱水设备丨高压保护器丨电晕机极处理
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品牌：同兴
型号：HV3030
加工定制：是
类别：整流堆
封装材料：环氧树脂
封装形式：真空封装
应用领域：自动控制;机械制造;通讯设备;电子;航空航天;仪器仪表;军工;民用电器;医疗设备
反向耐压：30KV
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