ZYK21系列扩散硅压力传感器是一种通用型工业用压力变送器,选用高稳定性和高可靠性的扩散硅压力传感元件、用于测量液体或气体的压力及各种液体的液位.并把压力或液位转换成标准电信号的现场远传压力及液位测量仪表。应用场合:工业现场过程压力控制、航空航天领域、石油化工、轻工机械、医疗设备、航海造船行业、水利水电发电厂、恒压供水、其它自动化控制和检测系统。
·测量范围广:-0.1MPa-0, 0-(10KPa-60MPa),
·零点、量程连续可调,
·扩散硅压力变送器具有反向极性保护及限流保护,
·实用性广、安装方便,
·高精度、高稳定性、高可靠性,
·IP65外壳防护等级,适于户外安装。
·两种输出信号可选(电流/电压);
·扩散硅压力变送器可测量蒸汽等高温介质。
·抗电磁干扰设计,适合恶劣环境。
·扩散硅压力传感器可根据介质变化订制防腐蚀性产品。
·基本误差:0.2%F•S,0.25%F•S,0.5%F.S
·测量范围:0~2Kpa~60Mpa(全量程)
·线性度:优于0.2%F•S
·温度漂移:<±0.025%F•S/℃(0-50℃)
·长期稳定性:≤0.02%F•S/年
·响应时间:≤10mS
·供电电源:24VDC(或18VDC-36VDC任意恒压电源)
·输出:两线制4~20mA(或1~5V)
·负载电阻:0~600Ω(Rz=(V-12)/0.02 其中V为电源电压)
·辅出为0~10mA时负载电阻为0~1.2kΩ
·压力过载极限:***大额定压力的1.2倍
·环境温度:-20~+85℃
·被测介质温度:-20~+70℃(高于70℃可用散热管散热)
·荐贮温度:-20~+125℃
·传感器接口(压力接口): M20×1.5或1/2NPT或订做
·电气接口:M20×1.5
·安装位置:扩散硅压力传感器安装位置无限制
·外壳防护等级:IP65
·传感器接口材料:1Cr18Ni9Ti
·传感器隔离膜片材料:316L不锈钢
·外壳材料:铸铝
·重量:约850g
·功耗:<0.5W。
压力传感器的硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时(一般步于400微应变),其内部原子结构的电子能级状态会发生变化,从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现*变化,这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理,采用集成工艺技术经过掺杂、扩散,沿单晶硅片上的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥,利用硅材料的弹性力学特性,在同一切硅材料上进行各向异性微加工,就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给压力传感器匹配一放大电路及相关部件,使之输出一个标准信号,就组成了一台完整的扩散硅压力变送器。
1、灵敏度高
扩散硅敏感电阻的灵敏因子比金属应变片高50~80倍,它的满量程信号输出在80-100mv左右。对接囗电路适配性好,应用成本相应较低。由于它输入激励电压低,输出信号大,且无机械动件损耗,因而分辨率极高。
2、精度高
扩散硅压力传感器的感受、敏感转换和检测三位一体,无机械动件连接转换环节,所以重复性和迟滞误差很小。由于硅材料的刚性好,形变小,因而传感器的线性也非常好。因此综合表态精度很高。
3、可靠性高
扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级,膜片***大位移量在来微米数量级,且无机械磨损,无疲劳,无老化。平均无故障时间长,性能稳定,可靠性高。
4、频响高
由于敏感膜片硅材料的本身固有频率高,一般在50KC。制造过程采用了集成工艺,膜片的有效面积可以很小,配以刚性结构前置安装特殊设计,使传感器频率响应很高,使用带宽可达零频至100千赫兹。
5、温度性能好
随着集成工艺技术进步,扩散硅敏感膜的四个电阻一致性得到进一步提高,原始的手工补偿已被激光调阻、计算机自动修整技术所替代,传感器的零位和灵敏度温度系数已达10-5/℃数量级,工作温度也大幅度提高。
6、抗电击穿性能好
由于采用了特殊材料和装配工艺,扩散硅传感器不但可以做到130℃正常使用,在强磁场、高电压击穿试验中可抗击1500V/AC电压的冲击。
7、耐腐蚀性好
由于扩散硅材料本身具有优良的化学防腐性能,即使传感器受压面不隔离,也能在普通使用中适应各种介质。硅材料又与硅油有良好的兼容性,使它在采用防腐材料隔离时结构工艺更易于实现。加之它的低电压、低电流、低功耗、低成本和本质安全防爆的特点,可替代诸多同类型的同功能产品,具有***优良的性能价格比。
隔爆扩散硅压力传感器一台(相关附件),合格证一枚,说明书一份;由于批次不同,产品外观及包装或许会略有不同;本公司产品出厂前都会经过严格检测及老化,质量保证。
| 品牌: | 绍兴中仪 |
| 加工定制: | 是 |
| 型号: | ZYK21/22 |
| 类型: | 智能差压变送器 |
| 测量范围: | 10000 kpa |
| 测量介质: | 水 |
| 精度等级: | 0.25 |
| 输出信号: | 4-20 Ma |