MOS管参数测试仪SC2015
一、产品简介/特点：
MOS管参数测试仪SC2015主要用于中小电子产品企业对场效应管或IGBT的批量测量，筛选，非常适合来料检验使用。
1、采用高精度AD，满足测量精度，而高速微处理器和电子开关，使测量工作迅速、高效、宁静。采用国际先进脉冲测量法，可以提供10A~*大75A以上的测试电流，而不会使被测管子发热。有自动均流功能，确保被测管安全。
2、有自检功能、测量判断功能以及故障报警指示功能，当不是Vmos管时或错插等，测量不能继续。在测量前后，测量插座栅源之间是短路状态，以确保被测量管插入或拔出管座时的安全。
3、有20A~150A容量选择，即便是选错电流档用*大电流测量小容量管子，也不会损害被测管。
4、您可以按需要设定分选参数范围。可设定的有：开启电压Ut、跨导Gfs、通态电阻Ron以及极间电容Cir的下限和上限。对于超限的测量，蜂鸣器会报警，并且哪个参数超限，会闪烁提示，用户可以不大理会符合标准的参数具体数据，只在报警时注意闪烁的参数，这样方便了工业批量测量。
5、使用简单，不需要专 业知识。
6、规格尺寸240*350*130mm（宽*深*高），桌面小台式结构，采用铝合金冷拉型板为框架，支脚可调。
7、工作台有TO220和3P插座，面板设有容量选择，以及220/3P选择，方便用户使用。
二、性能指标：
1、测量VMOS管可同时显示：
通态电阻Ron：1~999mΩ (超过999 mΩ时，自动转为9.99Ω挡)
跨导Gfs：0~99.9S耐压Bv：0~1999V
开启电压Ut：0~12V
极间电容Cir：0.1~9.9 (np)
通态*大电流Id:0-129.9V
2、如果您需要，通过辅助功能键，还可以得到：
a、Cir 1% nP精度；
b、Ut 1%V 精度；
c、测量Ron时的： Ids(max A),Vds(min V)；
d、以及测量Ggs时：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位LED显示。
4、设备供电160V~230V 正常工作。
三、测试参数：
（1）二极管Diode
静态参数：BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降；
（2）三极管Transistor
静态参数：BVCES/集射极击穿电压，VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VCESAT/饱和压降
（3）场效应管MOSFET
静态参数：BVDSS/漏源极击穿电压，Ut/开启电压，Ids/漏源极漏电流，Vf/二极管正向压降；Ron/导通内阻，Gfs/跨导,Cir/极间电容
（4）晶体管IGBT
静态参数：BVCES/集射极击穿电压，VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降；VCESAT/饱和压降
应用领域：
电子厂的功率器件来料检验、器件厂的产品分选、电子产品研发的选型配对、电子产品维修检验等。
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