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半导体薄膜烧结炉
25000.00
安徽
合肥日新高温技术有限公司
11年 | 指数:230 | 工商已认证
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应用领域:     

半导体薄膜烧结炉广泛适用于高、中、低温CVD工艺,例如:碳纳米管的研制、晶体硅基板镀膜、纳米氧化锌结构的可控生长等等;也可适用于金属材料的扩展焊接以及真空或保护气氛下热处理. 

产品特点:     

半导体薄膜烧结炉专门设计用于高温材料沉积之用。 硅钼棒加热、刚玉炉管炉膛, 可预抽真空,便于通入参加反应的气体,  CVD管式炉进口单回路智能温度控制仪控制、温区设计隔板结构。具有温度均匀、控制稳定、温区间温度扰动小、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点,是理想的科研设备。


半导体薄膜烧结炉技术指标: 

 

设备型号

CVD(D)-06/60/3
CVD(Z)-06/30/1
CVD(G)-07/50/2
CVD(G)-09/50/1

***高温度

1050℃
1300℃
1650℃/1000℃
1650℃

使用温度

RT—1000℃
850-1300℃
1000-1600℃
1000-1600℃

控制精度

±1.5℃
±1.5℃
±1.5℃
±1.5℃

温区个数

3个
1个
2个
1个

加热区长度

600mm
300mm
500mm(300mm/200mm)
500mm

炉管尺寸

ф60(外径)×1400(mm)
ф60(外径)×1000(mm)
ф70(外径)×1450(mm)
ф90(外径)×1450(mm)

炉管材料

石英管
刚玉管
刚玉管
刚玉管

发热元件

进口电阻丝
电阻丝/硅碳棒
硅钼棒、电阻丝
硅钼棒

***大装机功率

4.5KW
3kw/8kw
10kw
12kw

 
设备参考照片:

加工定制:
品牌:日新高温
型号:CVD系列半导体薄膜烧结炉
功率:3-12 kw
*大电压:220 V
额定温度:850-1600 ℃
主要用途:适用于高、中、低温CVD工艺
产品认证:ISO9001
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