产地 | 品名 | 产品介绍 | 应用领域 | ||||||||||||
ADT | 美国 | 金刚石晶圆 | 洁净度:没有污点或颗粒裸眼可见。 UNCD晶圆直径选择: 100 mm、 150mm、200mm、300mm可选。 UNCD金刚石可在任意大小的基片上 沉积,*大为300 mm |
半导体器件、MEMS、纳米压印 科研仪器设备整体金刚石镀膜 新型表面材料如超级疏水表面或 生物相容性表面3D金刚石探针 和场发射结构制备 高选择性及高电压范围 电化学传感器和电极 通过金刚石的高级性能 用于器件晶圆级工艺的平 |
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金刚石薄膜UNCD | 边缘排除区域:5 mm 厚度:目标厚度±20% 厚度均匀性:<10% 电学性能:绝缘金刚石(Aqua系列); ≤0.1 ohm-cm |
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金刚石-硅DoSi |
UNCD晶圆包含直接沉积在硅片上的金刚石 | ||||||||||||||
金刚石-绝缘硅DOI | UNCD金刚石-绝缘硅晶圆包含在整片 硅片正反两面的1μm热沉积硅氧化合物 |
加工定制: | 否 |
型号: | 金刚石晶圆 |
刻蚀方式: | HG |