控制表面形貌的优异线宽
任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁
单次旋涂即可获得200 μm胶厚
厚胶同样可得到优越的分辨率
150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间
优异的感光度进而增加曝光通量
更快的显影，100 μm的光刻胶显影仅需6 ～ 8分钟
光刻胶曝光时不会出现气泡
可将一种显影液同时应用于负胶和正胶
优异的温度阻抗直至180 ℃
在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量
非常容易进行高能量离子注入
不必使用增粘剂如HMDS