进口厚膜负性化学放大胶 CJ2240-25
¥8000.00
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福建厦门
厦门光刻胶 日本光刻胶
扇出型封装(Fan-Out)的再布线层(RDL)
硅通孔(TSV)绝缘层图形化
MEMS制造
惯性传感器、麦克风结构的厚胶模具
功率器件
IGBT/功率MOSFET的深槽蚀刻掩
- 储存:2-8°C冷藏,使用前室温平衡4小时
- 基片处理:需HMDS增附层提升粘附性
- 曝光剂量:建议梯度测试(200-600mJ/cm²)
- 设备兼容:推荐i-line或KrF光刻机(NA=0.4-0.6)
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