1. 高深宽比能力‌
   • 在45μm膜厚下可实现 ‌1:10 深宽比‌，适用于TSV（硅通孔）和厚膜结构。
2. ‌优异的附着力‌
   • 对硅、玻璃、金属（Cu/Ni/Au）基板附着力强，通过百格测试ASTM D3359。
3. ‌低溶胀显影‌
   • 溶剂显影过程线条变形率<2%，边缘粗糙度（LER）<0.15μm。
4. ‌宽工艺窗口‌
   • 曝光剂量范围：180-350mJ/cm²；显影时间容忍度±20秒。

‌典型应用场景‌

• ‌功率器件‌：IGBT栅极蚀刻、MOSFET钝化层图形化
• ‌先进封装‌：RDL（重布线层）、凸块下金属化（UBM）
• ‌MEMS制造‌：加速度计/陀螺仪结构层、喷墨打印头
• ‌LED芯片‌：P/N电极曝光、荧光粉隔离坝