进口全光谱正性光刻胶 CJ2135-5
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福建厦门
厦门光刻胶 美国光刻胶
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- 在g-line(436nm)、h-line(405nm)、i-line(365nm)波段均保持高灵敏度,无需更换光刻胶即可兼容多型号曝光设备。
- 高分辨率与陡直度
- 分辨率达亚微米级(0.3μm),侧壁陡直角≥88°,满足高精度微结构加工(如MEMS、IC封装)。
- 工艺宽容度高
- 支持宽范围膜厚控制(0.5-3μm),旋涂速度与粘度关联性稳定,良品率≥95%。
- 环境稳定性
- 25℃避光环境下保质期12个月,冷藏(0-5℃)可延长至18个月。
典型应用场景
| 领域 |
应用案例 |
| 半导体封装 |
金凸块、RDL(重布线层) |
| 显示面板 |
TFT-LCD阵列、触摸屏电极刻蚀 |
| MEMS器件 |
微传感器结构、硅通孔(TSV) |
| 光学元件 |
衍射光栅、微透镜阵列 |
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