• • 晶圆级封装（WLP）的‌重布线层（RDL）‌
  • ‌凸块下金属化（UBM）‌ 结构光刻
• ‌优势‌：
  • 高分辨率（0.3μm）满足微凸点（≤30μm）精准开口
  • 防驻波特性解决铜/铝垫高反射导致的线宽变形

2. ‌高密度集成电路制造‌

• ‌适用制程‌：
  • 0.15-0.35μm节点 ‌CMOS/逻辑器件‌ 关键层
  • ‌存储器‌（如NOR Flash）接触孔/通孔层
• ‌关键技术‌：
  • 抑制硅基底反射，提升‌关键尺寸均匀性（CDU）‌‌
• ‌典型结构‌：
  • 深硅刻蚀（DRIE）掩膜图形化
  • 加速度计/陀螺仪微结构光刻
• ‌优势‌：
  • 陡直侧壁（＞88°）保障蚀刻转移精度

‌应用方向‌：

• OLED FMM（精细金属掩膜版）蚀刻图形化
• 玻璃基板TFT阵列光刻

• ‌性能亮点‌：
  • 对ITO/金属层高反射基底兼容性优异