1. 显影后形成‌倒梯形剖面‌（Undercut结构），便于金属剥离。
2. ‌高分辨率‌：支持≤1.0μm线宽（电子束曝光下可达0.5μm）。
3. ‌工艺宽容度‌：
   • 曝光剂量范围宽（9-15 mJ/cm²），降低过曝/欠曝风险。

‌典型应用场景‌

• ‌MEMS器件‌：微电极、悬臂梁结构
• ‌半导体‌：GaAs射频器件、HBT晶体管电极
• ‌光学元件‌：纳米光栅、波导结构

1. • 90-100°C/90s（避免过热导致交联过度）
   • ‌曝光量‌：80-120mJ/cm²（需根据膜厚校准）
   • ‌显影‌：浸泡式显影60-90s（喷淋易导致图形坍塌）

2. ‌替代方案‌：

   • 若需更高分辨率：推荐 ‌TOK NR9-3000PY‌（负胶，分辨率≤1.5μm）
   • 低成本选择：‌Suzhou Crystal Clear CR-N200‌（国产，价格低20%）