进口正性光刻胶SUN-502P
¥20000.00
20000
福建厦门
厦门光刻胶 美国光刻胶
- 刻蚀比可达0.875(胶 = 4.2:4.8)
- 热稳定性:120℃高温下保持形状不变
- 适用工艺:深刻蚀工艺,特别是7微米以上氮化镓刻蚀
- 曝光方式:适用于i-线或汞灯全谱曝光
- 图形特性:显影后侧边夹角为50-60°
- 溶剂安全性:采用安全性溶剂,环保无害
技术参数与组成
技术参数
| 参数类别 |
具体指标 |
数值范围 |
| 刻蚀比 |
胶 |
4.2:4.8 |
| 热稳定性 |
*高工作温度 |
120℃ |
| 适用刻蚀深度 |
氮化镓刻蚀 |
≥7微米 |
| 显影后角度 |
侧边夹角 |
50-60° |
| 曝光光源 |
适用光源 |
i-线/汞灯全谱 |
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