• 非化学放大型i-线正性光刻胶
• ‌分辨率‌：可达0.35微米HP(高分辨率)
• ‌基底处理‌：大部分情况下无需HMDS处理基底
• ‌工艺适应性‌：特别适应于高解析度干法刻蚀工艺
• ‌金属离子浓度‌：低于20ppb

• ‌曝光灵敏度‌：高
• ‌对比度‌：高
• ‌分辨率‌：高
• ‌光刻成品率‌：高
• ‌工艺宽容度‌：良好

主要组成成分

1. ‌光引发剂‌：重氮萘醌磺酸酯(DQN)类化合物
2. ‌感光树脂‌：线性酚醛树脂(Novolac)
3. ‌溶剂‌：安全溶剂(具体成分未公开)
4. ‌其他添加剂‌：可能包含匀染剂、表面活性剂等助剂