• ‌高深宽比‌：光刻后侧壁陡直度接近90°，适合复杂微结构加工‌
• ‌耐蚀刻性‌：在湿法/干法蚀刻中均保持优异附着力‌
• ‌电镀兼容性‌：可直接进行金（Au）、铜（Cu）、镍铁（Ni/Fe）电镀，无开裂风险‌

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• ‌射频器件‌：用于GaN HEMT的T型栅极制作（栅长100nm），提升截止频率30%‌
• ‌BAW滤波器‌：通过剥离工艺制备铝电极（厚度500nm），实现Q值>2000‌

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• ‌TSV再布线层‌：支持5μm厚铜柱的lift-off工艺，解决电镀液渗透导致的溶胀问题‌
• ‌硅光芯片‌：制作光栅耦合器金反射镜（45°斜面结构），表面粗糙度<2nm‌

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• ‌二维材料器件‌：无损制备石墨烯1-2-1接触电极（Cr/Au/Cr），迁移率保持>10,000 cm²/V·s‌1
• ‌纳米光子学‌：50nm金纳米棒阵列等离激元天线，实现场增强>100倍‌