• 支持微米级以下精细结构加工，关键尺寸（CD）控制能力优异，适用于高精度电子束光刻（EBL）工艺‌
• ‌对比度‌
  曝光区与非曝光区溶解速率差异显著（典型值2-4），图形边缘陡直，减少“锯齿效应”‌
• ‌灵敏度‌
  低曝光剂量即可引发反应（具体数值未公开），适合高效率生产需求‌

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• ‌抗蚀性‌
  耐受多种刻蚀环境（如KOH、HF等），保护底层结构免受化学腐蚀‌
• ‌热稳定性‌
  硬烤后保持结构完整性，适用于高温工艺步骤‌
• ‌黏附性‌
  与硅片、玻璃等衬底结合紧密，避免脱胶问题‌

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• ‌量子器件‌
  用于超导量子电路电极布线（如约瑟夫森结），耐受低温环境‌
• ‌射频器件‌
  制作GaN HEMT的T型栅极，提升器件截止频率‌