进口电子束光刻胶495K PMMA 1-10
¥20000.00
20000
福建厦门
厦门光刻胶 美国光刻胶
| 分子量 |
495,000 |
950,000 |
| 粘度 |
中等(约50-100 mPa·s) |
高(>200 mPa·s) |
| 分辨率 |
0.1-0.5μm |
<0.1μm |
| 适用曝光源 |
电子束/X射线 |
电子束 |
- T-Gate工艺:用于制作高频晶体管栅极(如GaN HEMT)
- 晶圆减薄:作为临时键合层,保护电路结构
- LIGA技术:微机电系统(MEMS)的厚胶成型
- 量子器件:超导量子比特电极剥离(如约瑟夫森结)
- 纳米光子学:等离激元天线模板制作
- 二维材料:石墨烯/过渡金属硫化物电极图形化
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