• 分辨率‌：适用于纳米级图形（具体数值未明确，但HSQ系列通常支持<10nm分辨率）。
• ‌灵敏度‌：需优化曝光剂量（典型值约100-300μC/cm²）。
• ‌抗刻蚀性‌：曝光后形成的SiO₂结构具有优异的抗离子刻蚀能力。
• ‌工艺兼容性‌：需前烘处理以提高灵敏度和对比度，具体温度和时间需根据基板调整。

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• ‌量子器件‌：用于超导量子电路和拓扑量子计算的纳米结构加工。
• ‌射频器件‌：制作GaN HEMT的T型栅极，提升截止频率。

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• ‌传感器电极‌：支持三维非平面基板的lift-off工艺，如陀螺仪金电极阵列。
• ‌二维材料器件‌：用于石墨烯晶体管和过渡金属硫化物的电极定位