• 前烘‌：需在电子束曝光前进行前烘处理（温度和时间未明确），以提高灵敏度和对比度‌
• ‌显影液‌：通常使用高浓度TMAH溶液，浓度影响显影速度和侧壁陡直度‌
• ‌去胶‌：曝光后形成非晶态SiO2，需用BHF（氢氟酸）去除，对衬底材料有限制‌
• ‌保存条件‌：需低温（如5℃）保存，质保期较短‌

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• ‌半导体制造‌：用于高精度图案转移，可能适用于32纳米及以下节点的直写光刻工艺‌
• ‌科研领域‌：适用于量子器件、纳米光子学等前沿研究，如制作超材料吸收层或等离激元天线‌