进口HSQ系列电子束光刻胶fox16
¥20000.00
20000
福建厦门
厦门光刻胶 美国光刻胶
| 前烘 |
温度未明确,需优化以提升灵敏度 |
避免过度烘烤导致胶层开裂 |
| 曝光 |
电子束剂量需精确控制(未公开数据) |
邻近效应需通过软件补偿 |
| 显影 |
水基显影剂(如TMAH) |
浓度影响侧壁陡直度 |
| 去胶 |
氢氟酸(BHF)去除非晶SiO₂ |
对铝衬底有腐蚀风险 |
特殊要求
- 保存条件:需5℃低温存储,质保期短(通常<6个月)
- 工艺难度:对基板清洁度敏感,需严格控湿(RH<30%)
- 先进节点:用于32nm以下直写光刻,如量子点器件电极图案化
- 掩模制作:作为Si刻蚀的硬掩模,侧壁角度>85°
- 纳米光子学:制备等离激元天线(金纳米棒阵列)
- 超材料:制作可见光波段超表面透镜
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