• 前烘处理‌：电子束曝光前需进行前烘（具体温度未明确），以提高光刻胶的灵敏度和对比度‌
• ‌显影液‌：通常采用0.1-0.3M的TMAH溶液，显影时间需优化以避免过度或不足显影‌
• ‌去胶工艺‌：曝光后形成非晶态SiO2，需用BHF（氢氟酸）去除，对衬底材料（如硅、玻璃）有选择性限制‌
• ‌保存条件‌：需低温（5℃）保存，质保期较短，需注意防潮和避光‌

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• ‌半导体制造‌：
  • 用于32纳米及以下节点的直写光刻工艺，支持高精度图案转移，如量子器件栅极制备‌
  • 在先进封装中用于再布线层（RDL）和硅通孔（TSV）的图形定义‌
• ‌科研领域‌：
  • 纳米光子学：制作等离激元天线、超材料吸收层等结构‌
  • 二维材料器件：如石墨烯电极的精准图案化‌