进口HSQ系列电子束光刻胶fox25
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福建厦门
厦门光刻胶 美国光刻胶
- 前烘:需在电子束曝光前进行前烘处理,以提高灵敏度和对比度(具体温度和时间未明确)。
- 显影液:通常使用高浓度TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液,浓度影响显影速度和侧壁陡直度。
- 去胶:曝光后形成非晶态SiO2,需用BHF(氢氟酸)去除,对衬底材料有限制。
- 半导体制造:用于32纳米及以下节点的直写光刻工艺,支持高精度图案转移。
- 科研领域:适用于量子器件、纳米光子学等前沿研究,如制作超材料吸收层或等离激元天线
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