‌

• ‌涂布工艺‌：
  ▸ 推荐转速：3000-5000rpm（0.9μm厚度需4000rpm）
  ▸ 前烘条件：90℃/60s（热板）
• ‌曝光参数‌：
  ▸ 能量密度：80-120mJ/cm²（i-line曝光机）
  ▸ 对位精度：±0.5μm（需校准掩模版）
• ‌显影液‌：2.38% TMAH水溶液，显影时间30-45s‌

‌(2) 性能优势‌

• ‌高分辨率‌：通过分子量控制实现亚微米图形转移
• ‌低缺陷率‌：<0.1个/cm²（100级洁净室环境）
• ‌耐刻蚀性‌：可耐受RIE干法刻蚀（O₂/CF₄等离子体）