先进封装: ▸ 2.5D/3D TSV再布线层金属剥离(Lift-off工艺) ▸ 案例:台积电CoWoS封装中Au/Cu电极制作(线宽≤1μm)
MEMS器件: ▸ 制作陀螺仪金电极阵列(台阶高度差≤10μm) ▸ 兼容湿法腐蚀(HF/HNO₃)和干法刻蚀(RIE)