短波红外LED芯片，1000-2500nm
我们生产和供应从紫外光到红外光的SWIR LED芯片，具有高效率和卓越的可靠性。短波红外LED芯片在波长、芯片尺寸以及极性方面的多样化是我们的独特优势，使我们能够根据具体应用需求进行选择和定制近红外LED芯片。如需更严格的规格要求，可应要求提供短波红外发光二极管芯片预筛选服务。
EPIGAP短波红外线(SWIR)LED的发射波长范围在1000至2500纳米之间。这些短波红外发光二极管特别适用于机器视觉领域，因为它们对人眼不可见，并能够揭示物体材料特性的信息。某些波长还具有其他独特特性，例如在玻璃或大气中的低吸收率。短波红外发光二极管 (SWIR LED) 也应用于安防或医疗领域。
EPIGAPSWIR LED芯片有GaAs和InGaAs两种材料，近红外LED芯片又可以称为GaAs LED芯片、红外InGaAs LED芯片和SWIR LED。
我们提供上述以及其他类型的短波红外LED芯片，亦有表面贴装器件(SMD)形式可选。
EPIGAPSWIR LED芯片应用：
-工业机器视觉
-安防与监控
-医疗与生命科学
-红外感应
-高功率应用
EPIGAP短波红外LED芯片型号
EOLC-1060-17-1二维图纸
红外InGaAs LED芯片EOLC-1200-21-1
红外InGaAs LED芯片EOLC-1200-21-1典型的光电特性，测试条件25℃
| 参数 |
符号 |
条件 |
*小值 |
典型值 |
*大值 |
单位 |
| 发射颜色 |
|
|
红外 |
|
|
|
| 正向电压 |
Vf |
If=100mA |
|
0.96 |
|
V |
|
|
If = 1000 mA |
|
1.28 |
|
V |
| 峰值波长 |
λD |
If=100mA |
1170 |
1200 |
1230 |
nm |
| FWHM |
Δλ |
If=100mA |
|
50 |
|
nm |
| 辐射功率 |
Po |
If=100mA |
|
26 |
|
mW |
|
|
If = 1000 mA |
|
154 |
|
mW |
| 反向电流 |
IR |
VR = 5 V |
|
|
5 |
µA |
| 上升时间 |
TR |
If = 100 mA |
|
66 |
|
ns |
| 下降时间 |
TF |
If = 100 mA |
|
99 |
|
ns |
红外InGaAs LED芯片*大额定值
| 参数 |
符号 |
*小值 |
*大值 |
单位 |
| 正向电流(T=25°C，无限散热器) |
If, max |
|
1000 |
mA |
| 反向电压 |
VR |
|
5 |
V |
| 工作温度 |
Top |
-40 |
+85 |
℃ |
红外InGaAs LED芯片机械尺寸
| 参数 |
值 |
*小值 |
单位 |
| 芯片尺寸 |
1080 |
±25 |
µm |
| 厚度 |
150 |
±10 |
µm |
| P焊盘（底部）/Au合金 |
- |
- |
µm |
| N-焊盘（顶部）/Au合金 |
130 |
±10 |
µm |
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